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龙图腾网获悉中科南京智能技术研究院申请的专利一种存内计算电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210921958.9，技术领域涉及：G11C11/417；该发明授权一种存内计算电路是由乔树山;李润成;尚德龙;周玉梅设计研发完成，并于2022-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存内计算电路在说明书摘要公布了：本发明涉及一种存内计算电路。电路中同或门的第一输入端输入输入数据的符号位，同或门的第二端与存储阵列中最后一个SRAM单元的Q连接，同或门的第二端输入权重的符号位；同或门的输出端与管PM1的栅极连接，管PM1和管PM2的源极与电容C1的一端连接，管PM1和管PM2的漏极与传输门T1的输出端连接，电容C1的另一端接VDD，管PM2与管PM3的栅极连接，管PM3与管PM4的源极与电容C2的一端连接，电容C2的另一端接VDD，管PM3和管PM4的漏极与传输门T1的输出端连接，传输门T1的输入端与反位线连接；管PM4的栅极输入同或门的输出结果的相反数。本发明能够提高阵列计算的并发性以及计算速度。

本发明授权一种存内计算电路在权利要求书中公布了：1.一种存内计算电路，其特征在于，包括：1列存储阵列、同或门、管PM1、管PM2、管PM3、管PM4、传输门T1、电容C1以及电容C2；所述存储阵列包括多个并联在位线BL和反位线BLB之间SRAM单元； 所述同或门的第一输入端用于输入输入数据的符号位，所述同或门的第二端与所述存储阵列中最后一个SRAM单元的权重储存点Q连接，所述同或门的第二端用于输入权重的符号位；所述同或门的输出端与所述管PM1的栅极连接，所述管PM1的源极和所述管PM2的源极均与所述电容C1的一端连接，所述管PM1的漏极和所述管PM2的漏极均与所述传输门T1的输出端连接，所述电容C1的另一端接电源VDD，所述管PM2的栅极与所述管PM3的栅极连接，所述管PM3的源极与所述管PM4的源极均与所述电容C2的一端连接，所述电容C2的另一端接电源VDD，所述管PM3的漏极和所述管PM4的漏极均与传输门T1的输出端连接，所述传输门T1的输入端与反位线BLB连接，所述传输门的控制端用于输入传输门控制信号；所述管PM4的栅极输入所述同或门的输出结果的相反数。

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