上海韦尔半导体股份有限公司王菁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种低暗电流图像传感器像素结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084179B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210756089.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种低暗电流图像传感器像素结构是由王菁;陈多金;龚雨琛;高峰设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低暗电流图像传感器像素结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低暗电流图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、传输晶体管、浮动扩散节点、复位晶体管、源跟随器晶体管、行选通晶体管、电源以及pixel输出；在邻近的光电二极管之间采用反向PN结隔离301，并且在光电二极管之间加入梯形浅槽隔离205，使应力集中在光电二极管四个角落形成钝角结构中。通过优化像素版图设计，并在像素工艺制程中，使用低应力氮化硅薄膜替代高应力氮化硅薄膜以及减小氮化硅薄膜厚度的方法降低光电二极管受到的应力。减少由于光电二极管的有源区受到高应力所带来的位错缺陷，从而降低像素所产生的暗电流，提高图像传感器的性能。
本发明授权一种低暗电流图像传感器像素结构在权利要求书中公布了：1.一种低暗电流图像传感器像素结构，其特征在于，包括置于半导体基体中的光电二极管101、传输晶体管102、浮动扩散节点103、复位晶体管104、源跟随器晶体管106、行选通晶体管107、电源105以及pixel输出108； 所述光电二极管101有多个，在邻近的光电二极管之间采用反向PN结隔离301，并且在光电二极管之间加入梯形浅槽隔离205，使应力集中在光电二极管四个角落形成钝角结构中； 在邻近的光电二极管之间的隔离结构中，中部采用反向PN结隔离301，两端采用梯形浅槽隔离205，两端的梯形浅槽隔离205使光电二极管的四个角落形成钝角结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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