TCL华星光电技术有限公司梁群芳获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利TFT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975636B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210693259.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权TFT器件是由梁群芳设计研发完成，并于2022-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本TFT器件在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种TFT器件，该TFT器件包括衬底、依次设置于衬底一侧的半导体沟道层、欧姆接触层、源漏极层，在沟道区，半导体沟道层远离衬底的一侧表面设置有补偿图案，补偿图案与半导体沟道层为不同型的半导体；通过在半导体沟道层远离衬底的一侧表面设置补偿图案，补偿图案与半导体沟道层为不同型的半导体；补偿图案能进一步提升PNP结构的导电性，或者，补偿图案能进一步减少NPN结构的漏电流。
本发明授权TFT器件在权利要求书中公布了：1.一种TFT器件，其特征在于，包括： 衬底； 半导体沟道层，所述半导体沟道层设置于所述衬底上方，所述半导体沟道层包括沟道区、位于所述沟道区两侧的第一掺杂区和第二掺杂区； 欧姆接触层，所述欧姆接触层设置于所述半导体沟道层的远离所述衬底的一侧表面，所述欧姆接触层包括附着于所述第一掺杂区的第一图案、附着于所述第二掺杂区的第二图案； 源漏极层，所述源漏极层包括源极、漏极，所述源极设置于所述第一图案的远离所述衬底的一侧表面，所述漏极设置于所述第二图案的远离所述衬底的一侧表面； 其中，在所述沟道区，所述半导体沟道层的远离所述衬底的一侧表面设置有补偿图案，所述补偿图案与所述半导体沟道层为不同导电类型的半导体，所述补偿图案与所述第一图案、所述第二图案为同型的半导体，所述补偿图案与所述第一图案、所述第二图案同层设置。
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