中国科学院物理研究所宋小会获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利一种三维封装超导量子比特器件、其制备方法和设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914355B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210561358.6，技术领域涉及：H10N60/12；该发明授权一种三维封装超导量子比特器件、其制备方法和设备是由宋小会;杜燕京;相忠诚;张贺;郑东宁设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维封装超导量子比特器件、其制备方法和设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维封装超导量子比特器件，所述铌基超导量子比特器件从下到上依次设置为：下层衬底、第一超导薄膜、金属柱子、第二超导薄膜、上层衬底；还提供了其制备方法和设备。本发明三维封装超导量子比特器件避免了铝基比特样品，铝材料与铟柱子之间合金化,形成非超导层,难以实现超导连接的弊端，简化了工艺步骤，实现了三维立体超导连接。多个焊接点串联测试得到超导临界电流达到100mA，远大于铝基倒装焊器件30mA的临界电流。器件制备工艺简单，性能稳定。由于超导材料铌与铟之间超导连接，可以在连接处施加大的电流而不会引起发热等现象，有助于对超导比特器件实现三维立体操控。倒装芯片短的互连减小了电感，电阻和电容，信号完整性和频率特性更好。
本发明授权一种三维封装超导量子比特器件、其制备方法和设备在权利要求书中公布了：1.一种三维封装超导量子比特器件，其特征在于，铌基超导量子比特器件从下到上依次设置为：下层衬底、第一超导薄膜、金属柱子、第二超导薄膜、上层衬底；其中， 所述第一超导薄膜包括谐振腔、传输线和电极；和 所述第二超导薄膜包括电容和约瑟夫森结； 所述谐振腔、所述电容和所述电极的材料均为铌基超导材料，所述金属柱子为铟柱子，所述铌基超导材料和所述铟柱子的连接处反应生成超导材料Nb3In，所述铌基超导材料和所述铟柱子的连接处为超导连接。
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