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龙图腾网获悉金陵科技学院申请的专利一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210495854.6，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管是由代倩设计研发完成，并于2022-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管（UV‑LED），其构成要素自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、AlN缓冲层、非掺杂AlGaN缓冲层、n型AlGaN层、AlxGa1‑xNAlyGa1‑yN多量子阱有源区和p型AlGaN层。在p型AlGaN层和n型AlGaN层上分别引出p型欧姆电极和n型欧姆电极。在最后一层AlyGa1‑yN量子垒（QB）中间插入禁带宽度比QB更高、但晶格常数和QB相同的AlInGaN插入层，用以取代传统的电子阻挡层（EBL）。采用AlInGaN插入层的UV‑LED可以将最后一层QB与EBL界面由极化场引起的空穴耗尽层转换为空穴积累层，提高空穴注入效率。同时，可以有效减小最后一层QB和p型区之间的能带弯曲，提高电子和空穴波函数的重叠程度，且更容易将电子局限在有源区内，从而提高的载流子辐射发光，最终提高UV‑LED的内量子效率。

本发明授权一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有AlInGaN插入层的紫外发光二极管，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底101、AlN成核层102、AlN缓冲层103、非掺杂AlGaN缓冲层104、n型AlGaN层105、AlxGa1-xNAlyGa1-yN多量子阱有源区106、AlpInqGa1-p-qN插入层107和p型AlGaN层108，所述p型AlGaN层108上引出p型欧姆电极109，所述n型AlGaN层105上引出n型欧姆电极110，所述AlpInqGa1-p-qN插入层107插在AlxGa1-xNAlyGa1-yN多量子阱有源区106最后一层AlyGa1-yN量子垒的中间；所述AlpInqGa1-p-qN插入层107的禁带宽度大于AlyGa1-yN量子垒的禁带宽度；所述AlpInqGa1-p-qN插入层107的晶格常数和AlyGa1-yN量子垒的晶格常数相同。

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