昭和电工株式会社福岛隆之获国家专利权
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龙图腾网获悉昭和电工株式会社申请的专利磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115331704B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210479550.0,技术领域涉及:G11B5/68;该发明授权磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置是由福岛隆之;茂智雄;梅本裕二;丹羽和也设计研发完成,并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置在说明书摘要公布了:本发明的课题在于提供能够在磁记录层的表层及其附近包含具有微细的结晶粒径的磁性粒子的磁记录介质。本发明涉及的磁记录介质具备基板以及包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层,上述磁记录层进行001取向,上述磁记录层的生长面具有001面、111面及其等效面,上述生长面中的111面及其等效面的面积比率111面+111等效面001面+111面+111等效面为0.2~0.7。
本发明授权磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置在权利要求书中公布了:1.一种磁记录介质,其具备: 基板,以及 包含具有L10结构的磁性粒子的磁记录层, 所述磁记录层进行001取向, 所述磁记录层的生长面具有001面、111面及111面的等效面,所述001面为相对于基板面水平的结晶面,所述111面及111面的等效面为相对于基板面具有约53°的倾斜度的结晶面, 所述生长面中的111面及111面的等效面的面积比率,即111面+111等效面001面+111面+111等效面为0.2~0.7。
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