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龙图腾网获悉扬州杰利半导体有限公司申请的专利一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210449797.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法是由崔丹丹;游佩武;裘立强;王毅设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法在说明书摘要公布了：一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法。涉及半导体器件。包括以下步骤：S001：N+衬底选取；根据不同产品的耐压需求，选择不同电阻率的N+衬底硅片；S002：P区硼预沉积及扩散；在N+衬底表面沉积硼杂质，通过高温扩散，将N+衬底硅片划分成P区和的集电极区；S003：氧化；在晶片表面生长氧化膜；S004：一次正面N+待扩散区选择性光刻：在P区的上表面预留出待制备发射区的区域，其余用光阻剂保护；S005：氧化膜去除：将待制备发射区上方的氧化膜去除，暴露出正面待扩散的发射区；本发明实现了低反向漏电流、低功耗及高可靠性的稳压管器件功能。

本发明授权一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法，包括以下步骤： S001：N+衬底选取； 根据不同产品的耐压需求，选择不同电阻率的N+衬底硅片； S002：P区硼预沉积及扩散； 在N+衬底表面沉积硼杂质，通过高温扩散，将N+衬底硅片划分成P区和的集电极区； S003：氧化； 在晶片表面生长氧化膜； S004：一次正面N+待扩散区选择性光刻： 在P区的上表面预留出待制备发射区的区域，其余用光阻剂保护； S005：氧化膜去除： 将待制备发射区上方的氧化膜去除，暴露出正面待扩散的发射区； S006：N+区磷预沉积： 去除光阻剂，在待制备发射区的表面沉积磷杂质，通过高温扩散将磷结推进，制备发射区； 高温扩散将磷结推进时，发射区的顶部产生附着氧化层； S007：二次选择性光刻； 将晶片区域化成若干单颗晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来，其它区域用光阻剂保护； S008：氧化膜去除； 使用BOE将待刻蚀的氧化膜和待刻蚀的附着氧化层去除，暴露出待蚀刻区域表面的Si； S009：槽蚀刻； 对晶粒表面暴露出来的Si进行蚀刻，分别形成延伸至集电极区的外刻蚀口和内刻蚀槽，并去除晶粒表面上的光阻剂； S010：去除晶粒表面上的氧化膜和附着氧化层； S011：SIPOS及玻璃钝化： 在晶片表面沉积一层SIPOS膜；然后采用刀刮法在外刻蚀口和内刻蚀槽内填一层玻璃粉，通过高温炉对玻璃粉进行熔融，将外刻蚀口和内刻蚀槽内部的玻璃粉转换成玻璃以保护PN结； S012：LTO膜钝化； 采用LPCVD的方法在晶片表面沉积一层氧化膜钝化层； S013：三次黄光去除电极面的氧化层； 将外刻蚀口玻璃区的顶部与发射区顶部之间处的氧化膜钝化层保留，其余去除； S014：金属蒸发：双面蒸度Ag金属； S015：电极面光刻：选择性光刻，去除玻璃层及切割道表面的金属；S017：金属腐蚀：用金属腐蚀液对晶片表面暴漏出来的金属进行腐蚀去除。

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