中国科学院上海微系统与信息技术研究所母志强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116949564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210406596.X，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法是由母志强;姜文铮;朱宇波;陈玲丽;俞文杰;李卫民设计研发完成，并于2022-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：提供一绝缘体上硅衬底，绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层、背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔；在第一生长温度下于顶层硅上外延生长AlN缓冲层；在第二生长温度下于AlN缓冲层上外延生长第一AlN层；在第三生长温度下于第一AlN层上外延生长第二AlN层。本发明利用内嵌空腔的绝缘体上硅衬底，减少高温生长单晶AlN薄膜时晶格失配及热失配所带来的影响，从而可以实现无裂纹的单晶AlN薄膜生长。
本发明授权绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘体上硅衬底上单晶AlN薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 提供一绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括位于顶层硅、埋氧层和背衬底中的任一者中或任意相邻两者之间的界面处的多个空腔； 于所述顶层硅上生长预铺铝层； 在第一生长温度下于所述绝缘体上硅衬底上方外延生长AlN缓冲层，同时所述预铺铝层的至少一部分转变成氮化铝； 在第二生长温度下，通入包含Ⅴ族元素源与Ⅲ族元素源的第二气体混合物以于所述AlN缓冲层上外延生长第一AlN层，其中所述第二气体混合物包含摩尔流量比为1000:1-10000:1的所述Ⅴ族元素源与Ⅲ族元素源，所述第一AlN层以三维岛状模式生长； 在第三生长温度下，通入包含Ⅴ族元素源与Ⅲ族元素源的第三气体混合物以于所述第一AlN层上外延生长第二AlN层，其中所述第三气体混合物包含摩尔流量比为100:1-1000:1的所述Ⅴ族元素源与Ⅲ族元素源，所述第二AlN层以二维层状模式生长，所述第一生长温度低于所述第二生长温度和所述第三生长温度。
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