湘潭大学;北京大学李雪娉获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学;北京大学申请的专利一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709212B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210350334.6，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法是由李雪娉;邱晨光;彭练矛设计研发完成，并于2022-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法。本发明的反馈式两端熔丝存储单元在传统的两端熔丝基础上，增加一个垂直的金属栅，并将栅极做在漏极一侧与漏极电连接，在漏端施加一个电压后，会同时产生一个横向的电压VDS和垂直方向的电压VGS，且两个电压大小相等，通过合理设计栅氧化层的厚度，可以使垂直方向上栅极到沟道的烧断先发生。垂直方向上的烧断是通过栅极到沟道的隧穿电流来实现的，该设计可以降低编程电压和编程电流，并实现温和低功耗。本发明利用电子束曝光和lift‑off工艺实现熔丝存储单元的制备，工艺简单，可实现大面积器件制备并节约工艺成本。
本发明授权一种反馈式两端熔丝存储单元及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反馈式两端熔丝存储单元，其特征在于， 具有一衬底，在所述衬底上具有石墨烯沟道，在所述石墨烯沟道两端分别具有漏极和源极； 所述漏极和所述源极之间具有一栅窗口，在所述栅窗口的所述漏极端具有与所述漏极电接触的金属栅，所述金属栅与所述石墨烯沟道之间具有一栅氧化层，所述金属栅为金属Al栅，在金属Al栅的上表面以及金属Al栅和石墨烯沟道的交叠区域生成一层致密的氧化铝薄膜； 通过加电压，从栅极产生隧穿电子，将石墨烯的共价键打断，在栅极下方的沟道与源漏极之间出现小的裂缝，石墨烯被烧断，源漏电阻增大，表现为高阻态，从而实现了从低阻态到高阻态的一次性编程。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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