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龙图腾网获悉镭昱光电科技(苏州)有限公司申请的专利Micro LED显示芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678455B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210311324.1，技术领域涉及：H10H20/851；该发明授权Micro LED显示芯片及其制备方法是由仉旭;庄永漳设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro LED显示芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本说明书实施方式提供一种MicroLED显示芯片及其制备方法。MicroLED显示芯片，包括：基板，表面设置有多个独立的第一电极结构；LED外延层，设置于基板上，LED外延层具有阵列排布的多个LED单元，每个LED单元包括多个分别与同一个第一电极结构电性连接的微LED模块，以使LED单元能被所述第一电极结构独立驱动，微LED模块分别包括层叠设置的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层；其中，LED单元的微LED模块之间具有间隔且在间隔内设置有能改变光的颜色的波长转换材料，不同的LED单元中设置同种波长转换材料。微LED模块之间设置有能改变光的颜色的波长转换材料，实现不同颜色的显示，满足不同场景的需求，提高MicroLED显示芯片适用性。

本发明授权Micro LED显示芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED显示芯片，其特征在于，包括：基板，表面设置有多个独立的第一电极结构； LED外延层，设置于所述基板上，所述LED外延层具有阵列排布的多个LED单元，一个所述LED单元对应一个所述第一电极结构； 每个所述LED单元包括多个分别与同一个所述第一电极结构电性连接的微LED模块，以使所述LED单元能被所述第一电极结构独立驱动，所述微LED模块分别包括层叠设置的第一掺杂型半导体层、有源层和第二掺杂型半导体层； 其中，所述LED单元的微LED模块之间具有间隔且在所述间隔内设置有能改变光的颜色的波长转换材料，不同的所述LED单元中设置同种所述波长转换材料；所述间隔由所述第二掺杂型半导体层远离所述第一掺杂型半导体层的一面沿靠向所述第一掺杂型半导体层的方向延伸预定距离，所述预定距离小于或等于所述微LED模块在所述间隔的延伸方向的厚度； 其中，所述LED单元中的所述微LED模块的所述第一掺杂型半导体层为一体结构；或， 所述LED单元中相邻所述微LED模块的所述第一掺杂型半导体层、所述有源层和所述第二掺杂型半导体层都相互隔断。

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