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江西兆驰半导体有限公司贾钊获国家专利权

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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种垂直串联结构高压芯片及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114709299B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210210851.3,技术领域涉及:H10H20/01;该发明授权一种垂直串联结构高压芯片及其制作方法是由贾钊;窦志珍;郭文辉;杨琪;胡家辉;金从龙;顾伟设计研发完成,并于2022-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

一种垂直串联结构高压芯片及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种垂直串联结构高压芯片及其制作方法,所述方法包括:生长出PN区处均具有高掺杂层的多个外延片,其中外延片中靠近衬底的为第一高掺杂层,远离衬底的为第二高掺杂层;将外延片中第二高掺杂层与硅片进行临时键合;将临时键合后的外延片中的衬底进行去除至露出第一高掺杂层;将其中一衬底去除后的外延片与另一外延片进行等离子轰击活化,且将衬底去除后的外延片中第一高掺杂层与另一外延片中第二高掺杂层相对贴合,并放入键合机进行键合;将键合后的外延片解除临时键合;将解除临时键合后的外延片进行芯片制作工艺,直至制作完成得到高压芯片。本发明解决了现有高压芯片工艺要求高的问题。

本发明授权一种垂直串联结构高压芯片及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种垂直串联结构高压芯片制作方法,其特征在于,所述方法包括: 生长出PN区处均具有高掺杂层的多个外延片,其中外延片中靠近衬底的为第一高掺杂层,远离衬底的为第二高掺杂层; 将外延片中第二高掺杂层与硅片进行临时键合; 将临时键合后的外延片中的衬底进行去除至露出第一高掺杂层; 将其中一衬底去除后的外延片与另一外延片进行等离子轰击活化,且将衬底去除后的外延片中第一高掺杂层与另一外延片中第二高掺杂层相对贴合,并放入键合机进行键合; 将键合后的外延片解除临时键合; 将解除临时键合后的外延片进行芯片制作工艺,直至制作完成得到高压芯片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司,其通讯地址为:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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