安徽大学唐曦获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114544022B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210173757.5，技术领域涉及：G01K7/16；该发明授权一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器是由唐曦;胡存刚;尹玉莲;汪欢设计研发完成，并于2022-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器，其包括整流器件和阻性器件，所述整流器件和阻性器件制备于同片氮化物半导体异质结上。整流器件和阻性器件电学相串联。在电学偏压下，整流器件和阻性器件的电学性质随温度变化而改变：整流器件开启后的电阻随着温度升高而减小，阻性器件电阻随着温度升高而增加。本发明的温度传感器的制备工艺与氮化物半导体异质结电子器件工艺相兼容，无需额外设计新的制备工艺以及材料，即可实现在同一块异质结芯片上的温度探测以及信号放大功能，达到精准、实时、低功耗芯片测温以及节省制备成本的目的。
本发明授权一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器，其特征在于：包括整流器件和阻性器件，二者制备于同片氮化物半导体异质结上；所述氮化物半导体异质结在支撑层上形成；所述整流器件包括二维电子气沟道、与所述氮化物半导体异质结上表面邻接的肖特基接触层和与所述二维电子气沟道相接的欧姆接触层；所述阻性器件包括二维电子气沟道、与二维电子气沟道相接的两端的欧姆接触层；金属导线层将所述整流器件的正极和阻性器件的负极电学相串联，并引出输出端；其中，所述氮化物半导体异质结包括具有第一带隙的沟道层、具有比第一带隙大的第二带隙的势垒层，所述势垒层在所述沟道层上形成，所述沟道层在支撑层上形成；所述整流器件和阻性器件之间为隔离区，从而将所述整流器件和阻性器件隔离； 所述二维电子气沟道由于所述沟道层和势垒层的两种材料的极化效应而形成在所述沟道层与势垒层界面处； 所述整流器件的正极为所述肖特基接触层，所述阻性器件的负极为其中一端的所述欧姆接触层。
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