台湾积体电路制造股份有限公司宋巍巍获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115016058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210144053.5，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权集成电路及其使用方法是由宋巍巍;斯帝芬·鲁苏设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种集成电路及其使用方法。集成电路包括电子电路。集成电路还包括光子器件。光子器件包括电连接到电子电路的第一光电探测器PD。光子器件还包括电连接到电子电路的第二PD。光子器件还包括配置为接收光信号输入的第一波导，其中第一波导光学连接到第一PD。光子器件还包括光学连接到第二PD的第二波导。光子器件还包括第一波导和第二波导之间的谐振结构，其中谐振结构被配置为将第一波导光学耦合到第二波导。
本发明授权集成电路及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 电子电路；以及 光子器件，其中所述光子器件包括： 第一光电探测器，电连接到所述电子电路； 第二光电探测器，通过接触件电连接到所述电子电路； 第一波导，被配置为接收光信号输入，其中，所述第一波导光学连接到所述第一光电探测器； 第二波导，光学连接到所述第二光电探测器； 第三波导，光学连接到所述第二光电探测器； 第一谐振结构，位于所述第一波导和所述第二波导之间，其中，所述第一谐振结构被配置为将所述第一波导光学耦合到所述第二波导； 第一冗余谐振结构，位于所述第一波导和所述第三波导之间，其中，所述第一冗余谐振结构被配置为将所述第一波导光学耦合到所述第三波导； 控制器，包括控制元件，其中，所述控制器被配置为调谐所述第一谐振结构和所述第一冗余谐振结构； 高掺杂区域，位于所述第二光电探测器的两侧； 掺杂区域，从所述高掺杂区域向所述第二光电探测器延伸，其中，所述第二光电探测器的侧壁和底面与所述掺杂区域接触， 其中，所述掺杂区域通过所述高掺杂区域和位于所述高掺杂区域上方的互连结构在所述第二光电探测器和所述接触件之间提供电连接。
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