京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司谌伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司申请的专利导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497231B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210121398.9，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板是由谌伟;黄中浩;吴旭;杨宇桐;刘丹;田茂坤;宁智勇设计研发完成，并于2022-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供了一种导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，避免与水汽发生反应出现腐蚀问题，从而提高抗氧化性和产品性能。导电结构的制备方法包括：在前膜层上形成导电薄膜、以及覆盖导电薄膜的第一导电隔离薄膜；采用第一刻蚀液对第一待刻蚀部和第三待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除第一待刻蚀部和第三待刻蚀部；采用第二刻蚀液对第二待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除第二待刻蚀部；采用等离子体对第一导电隔离部进行轰击，使得第一导电隔离部中未覆盖导电部的部分至少覆盖导电部的部分侧面。
本发明授权导电结构及其制备方法、晶体管及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种导电结构的制备方法，其特征在于，包括： 在前膜层上形成导电薄膜、以及覆盖所述导电薄膜的第一导电隔离薄膜，其中，所述导电薄膜包括第一待刻蚀部、第二待刻蚀部和导电部，所述第一待刻蚀部围绕所述第二待刻蚀部，所述第二待刻蚀部围绕所述导电部；所述第一导电隔离薄膜包括第三待刻蚀部和第一导电隔离部，所述第三待刻蚀部围绕所述第一导电隔离部；所述导电部在所述前膜层上的正投影位于所述第一导电隔离部在所述前膜层上的正投影以内； 采用第一刻蚀液对所述第一待刻蚀部和所述第三待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除所述第一待刻蚀部和所述第三待刻蚀部； 采用第二刻蚀液对所述第二待刻蚀部进行湿法刻蚀，去除所述第二待刻蚀部，其中，所述第二待刻蚀部被所述第二刻蚀液刻蚀的速率大于所述第一导电隔离部被所述第二刻蚀液刻蚀的速率； 采用等离子体对所述第一导电隔离部进行轰击，使得所述第一导电隔离部中未覆盖所述导电部的部分至少覆盖所述导电部的部分侧面，形成所述导电结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司，其通讯地址为：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号