三菱电机株式会社田中翔获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114866076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210111398.0，技术领域涉及：H03K17/081；该发明授权半导体装置是由田中翔;寺岛知秀设计研发完成，并于2022-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：得到保护功率开关元件不受到过电流状态损害，并且对施加负驱动电压时产生的逆向电流进行抑制的半导体装置。半导体装置S1作为主要结构要素包含主IGBT5、感测用IGBT4、电阻2、MOSFET3及二极管1。感测用IGBT4及主IGBT5彼此并联连接。MOSFET3的漏极与感测用IGBT4的栅极连接，源极与主IGBT5的栅极连接，栅极与感测用IGBT4的发射极及二极管1的阴极连接。电阻2的一端与主IGBT5的栅极及MOSFET3的源极连接，电阻2的另一端与主IGBT5的发射极及二极管1的阳极连接。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有： n沟道型的第一功率开关元件，其具有一个电极、另一个电极及控制电极； n沟道型的第二功率开关元件，其具有一个电极、另一个电极及控制电极，该第二功率开关元件的一个电极与所述第一功率开关元件的一个电极连接； 第一二极管，其阳极与所述第一功率开关元件的另一个电极连接，阴极配置于所述第二功率开关元件的另一个电极的方向上； n沟道型的第一MOSFET，其具有一个电极、另一个电极及控制电极，该第一MOSFET的一个电极接收所述第一及第二功率开关元件用的驱动电压，该第一MOSFET的一个电极与所述第二功率开关元件的控制电极连接，另一个电极与所述第一功率开关元件的控制电极连接，控制电极与所述第二功率开关元件的另一个电极连接；以及 电荷释放电路，其具有以从所述第一功率开关元件的控制电极至另一个电极的方式设置的电荷释放路径。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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