台湾积体电路制造股份有限公司张开泰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于接合半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210069582.3，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权用于接合半导体器件的方法是由张开泰;李东颖设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于接合半导体器件的方法在说明书摘要公布了：方法包括：确定第一晶圆的第一侧上的第一对准标记和第一晶圆的第二侧上的第二对准标记之间的第一偏移；将第一晶圆的第一对准标记与第二晶圆的第一侧上的第三对准标记对准，包括检测第一晶圆的第二对准标记的位置；基于第一偏移和第一晶圆的第二对准标记的位置，确定第一晶圆的第一对准标记的位置；和基于确定的第一对准标记的位置，重新定位第一晶圆，以将第一对准标记与第三对准标记对准；以及将第一晶圆的第一侧接合至第二晶圆的第一侧以形成接合结构。本发明的实施例还涉及用于接合半导体器件的方法。
本发明授权用于接合半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于接合半导体器件的方法，包括： 将第一晶圆的第一侧与第二晶圆的第一侧面对，其中所述第二晶圆上方设有第一显微镜，所述第一晶圆下方设有第二显微镜； 缩回所述第二晶圆以使所述第一显微镜面向所述第一晶圆之后，通过所述第一显微镜和所述第二显微镜确定所述第一晶圆的第一侧上的第一对准标记和所述第一晶圆的第二侧上的第二对准标记之间的第一偏移；将所述第一晶圆的所述第一对准标记与所述第二晶圆的第一侧上的第三对准标记对准，包括： 检测所述第一晶圆的所述第二对准标记的位置； 基于所述第一偏移和所述第一晶圆的所述第二对准标记的位置，确定所述第一晶圆的所述第一对准标记的位置；和 基于确定的所述第一对准标记的位置，重新定位所述第一晶圆，以将所述第一对准标记与所述第三对准标记对准；以及 将所述第一晶圆的所述第一侧接合至所述第二晶圆的所述第一侧以形成接合结构。
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