复旦大学晁鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉复旦大学申请的专利一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210001052.5，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法是由晁鑫;王晨;陈琳;孙清清;张卫设计研发完成，并于2022-01-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法。该垂直栅极的存储器件结构包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U形槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U形槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在U形槽的侧壁和N阱区表面处形成有窗口；半浮栅，形成在所述U形槽中，覆盖所述第一栅氧化层，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层，形成在所述U形槽中，覆盖所述半浮栅并延伸覆盖部分所述第一栅氧化层；控制栅，覆盖所述控制栅介质层，并完全填充U形槽；源区和漏区，分别形成在所述控制栅两侧，所述N阱区中。
本发明授权一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直栅极的存储器件结构，其特征在于， 包括： 衬底，其形成有P阱区、N阱区和U形槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U形槽贯穿N阱区； 第一栅氧化层，形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在U形槽的侧壁和N阱区表面处形成有窗口； 半浮栅，形成在所述U形槽中，覆盖所述第一栅氧化层，且在窗口处与N阱区相接触； 控制栅介质层，形成在所述U形槽中，覆盖所述半浮栅并延伸覆盖部分所述第一栅氧化层； 控制栅，覆盖所述控制栅介质层，并完全填充U形槽； 源区和漏区，分别形成在所述控制栅两侧，所述N阱区中， 利用U形槽侧壁寄生的PMOS管进行编程。
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