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龙图腾网获悉上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司申请的专利一种基于热能流场的晶圆清洗蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111677809.4，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种基于热能流场的晶圆清洗蚀刻装置是由卢证凯;邓信甫;廖世保设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于热能流场的晶圆清洗蚀刻装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于热能流场的晶圆清洗蚀刻装置，包括：放置台，通过旋转轴固定于底板上；晶圆，设置于放置台上；第一喷淋模组，通过第一喷嘴向晶圆的表面喷淋清洗溶液；一第二喷淋模组，通过第二喷嘴向晶圆的表面喷淋雾化溶液以于晶圆的表面形成热能流场；第三喷淋模组，通过第三喷嘴向晶圆的表面喷淋蚀刻溶液；控制模块，用于控制旋转轴进行旋转，控制转动件进行转动以带动第一喷嘴移动至晶圆的上方并控制第一喷嘴喷淋清洗溶液，控制第二喷嘴喷淋雾化溶液，以及控制第三喷嘴喷淋蚀刻溶液。有益效果是本装置通过第二喷嘴在晶圆表面形成热能流场，在热能流场的作用下晶圆表面的蚀刻溶液能够稳定在预设温度，解决了温度的稳定性问题。

本发明授权一种基于热能流场的晶圆清洗蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种基于热能流场的晶圆清洗蚀刻装置，其特征在于，包括: 一放置台，所述放置台通过一旋转轴固定于一底板上； 一晶圆，设置于所述放置台上； 一第一喷淋模组，所述第一喷淋模组包括一第一固定件和一转动件，且所述转动件的一端设有一第一喷嘴，通过所述第一喷嘴向所述晶圆的表面喷淋一清洗溶液以对所述晶圆进行清洗； 一第二喷淋模组，所述第二喷淋模组包括一第二固定件和一第三固定件，且所述第三固定件的朝向所述晶圆的一端设有一第二喷嘴，通过所述第二喷嘴向所述晶圆的表面喷淋一雾化溶液以于所述晶圆的表面形成一热能流场； 一第三喷淋模组，所述第三喷淋模组包括一第四固定件和一第五固定件，且所述第五固定件的朝向所述晶圆的一侧设有一第三喷嘴，通过所述第三喷嘴向所述晶圆的表面喷淋一蚀刻溶液以对所述晶圆进行蚀刻； 一控制模块，分别连接所述旋转轴、所述转动件、所述第一喷嘴、所述第二喷嘴和所述第三喷嘴，用于控制所述旋转轴进行旋转，控制所述转动件进行转动以带动所述第一喷嘴移动至所述晶圆的上方并控制所述第一喷嘴喷淋所述清洗溶液，控制所述第二喷嘴喷淋所述雾化溶液，以及控制所述第三喷嘴喷淋所述蚀刻溶液。

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