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龙图腾网获悉深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利集成芯片及其制作方法和集成电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497114B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111626462.0，技术领域涉及：H10N39/00；该发明授权集成芯片及其制作方法和集成电路是由樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2021-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成芯片及其制作方法和集成电路在说明书摘要公布了：申请公开了一种集成芯片及其制作方法和集成电路，集成芯片包括衬底、外延层、隔离结构、氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器，所述隔离结构将所述外延层划分第一外延层和压电层，并将所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器隔离；所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括设置在所述第一外延层上的源极、漏极和栅极；所述表面声波滤波器包括设置在所述压电层上的第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器通过金属导线互联。通过上述设计，将射频前端中的氮化镓高电子迁移率晶体管和表面声波滤波器做到一个芯片上，从而增加射频器件的集成度，达到减小器件面积、降低损耗、提升器件总体性能的目的。

本发明授权集成芯片及其制作方法和集成电路在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，包括依次堆叠设置在所述衬底上的沟道层和势垒层； 隔离结构，贯穿所述外延层，将所述外延层划分第一外延层和压电层，所述第一外延层对应形成氮化镓高电子迁移率晶体管，所述压电层对应形成表面声波滤波器； 所述氮化镓高电子迁移率晶体管包括设置在所述第一外延层上的源极、漏极和栅极，所述源极、漏极和栅极并列设置； 所述表面声波滤波器包括设置在所述压电层上的第一叉指换能器和第二叉指换能器，所述第一叉指换能器作为所述表面声波滤波器的输入换能器；所述第二叉指换能器作为所述表面声波滤波器的输出换能器； 所述氮化镓高电子迁移率晶体管和所述表面声波滤波器通过金属导线互联； 所述外延层为氮化铝材料层或氮化镓铝材料层，所述压电层为掺杂钪这一稀有金属粒子的氮化铝材料层；当对所述氮化铝材料层掺杂钪金属粒子之后，所述压电层中形成纤锌矿结构和岩盐结构之间的过渡区域；其中，钪金属粒子取代所述氮化铝材料层中的部分铝原子形成氮化钪，氮化钪是非极性的具有岩盐结构的III-V氮化物，氮化铝是极性的纤锌矿结构的III-V氮化物； 所述表面声波滤波器对应的所述压电层的厚度，大于所述氮化镓高电子迁移率晶体管对应的所述第一外延层的厚度。

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