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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种存储块及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116343853B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111590252.0，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权一种存储块及存储器是由尚为兵;李红文设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储块及存储器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种存储块以及存储器，存储块包括沿第一方向设置的若干个存储阵列，每一所述存储阵列沿第二方向被划分为至少两个阵列单元，所述第一方向与所述第二方向互相垂直；若干个读写控制电路，所述读写控制电路设置在相邻的两个所述存储阵列之间；若干个数据信号线，用于电连接所述读写控制电路和所述阵列单元；其中，每一所述存储阵列的不同阵列单元通过不同的所述数据信号线电连接至不同的所述读写控制电路。本发明实施例的存储块具有功耗低的优势。

本发明授权一种存储块及存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储块，其特征在于，包括： 沿第一方向设置的若干个存储阵列，每一所述存储阵列沿第二方向被划分为至少两个阵列单元，所述第一方向与所述第二方向互相垂直； 读写控制电路，所述读写控制电路设置在相邻的两个所述存储阵列之间； 数据信号线，用于电连接所述读写控制电路和所述阵列单元； 其中，每一所述存储阵列的不同阵列单元通过不同的所述数据信号线电连接至不同的所述读写控制电路； 所述若干个存储阵列，用于存储数据和校验码；所述存储块还包括： 若干检错纠错单元，设置在所述相邻的两个所述存储阵列之间，与所述若干读写控制电路电连接，用于根据所述校验码对所述数据进行检错和或纠错； 所述若干检错纠错单元至少包括： 第一检错纠错单元，通过所述读写控制电路与每个所述阵列单元均连接，用于对所述阵列单元的一部分输出数据进行检错纠错；第二检错纠错单元，通过所述读写控制电路与每个所述阵列单元均连接，用于对所述阵列单元的剩余输出部分数据进行检错纠错； 每个所述阵列单元对应的数据信号线包含偶数条块数据总线，将所述块数据总线按自然数从零依次编号，编号为奇数的块数据总线O连接所述第一检错纠错单元，编号为偶数的块数据总线E连接所述第二检错纠错单元。

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