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龙图腾网获悉华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司申请的专利一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111533074.8，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法是由耿敏敏设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于SOC通用测试平台的NandFlash测试方法，包括：将NandFlash芯片通过插座插接在测试板卡上；启动芯片电源供电模块为NandFlash芯片供电；定义测试文件和辅助测试文件；信号驱动单元提供启动NandFlash芯片进行读、写和擦除的使能信号以及写入的数据；NandFlash芯片进行擦除、写和读测试；以及信号测量单元获取NandFlash芯片输出的波形进行运算，判断坏块的数量是否超过阈值。通过该方法可以对各类封装、各种型号的NandFlash进行读、写和擦除测试，无需额外的NandFlash控制器，减少了测试中间环节，大大提高了测试可靠性；此方法既可以对固定特性验证测试，也可以根据需求自定义测试流程并提供测试结果，增加了NandFlash测试的灵活性，提高了测试效率，减少测试成本。

本发明授权一种基于SOC通用测试平台的Nand Flash测试方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SOC通用测试平台的NandFlash测试方法，其特征在于，所述SOC通用测试平台包括： 测试板卡，用于测试NandFlash芯片的性能；测试板卡上设置有插座，用于将NandFlash芯片固定在测试板卡上； 测试通道，所述测试通道是线路，用于连接上位机和测试板卡； 上位机，所述上位机包括： 芯片电源供电模块，用于为NandFlash芯片提供电源； 信号测量单元，用于接收NandFlash芯片输出的波形，然后进行运算，判断NandFlash芯片的测量结果；以及 信号驱动单元，用于为NandFlash芯片提供启动芯片进行读、写和擦除的使能信号，以及提供写入NandFlash芯片的数据； 所述NandFlash测试方法包括： 将NandFlash芯片通过插座插接在测试板卡上； 启动芯片电源供电模块为NandFlash芯片供电； 定义测试文件和辅助测试文件； 信号驱动单元提供启动NandFlash芯片进行读、写和擦除的使能信号以及写入的数据； NandFlash芯片进行擦除、写和读测试；以及 信号测量单元获取NandFlash芯片输出的波形进行运算，判断坏块的数量是否超过阈值； 无需额外的NandFlash控制器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。