郑州轻工业大学张庆芳获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州轻工业大学申请的专利带有磁致应变源的GeSn发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111517799.8，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权带有磁致应变源的GeSn发光二极管及其制备方法是由张庆芳;陈芊羽;张吉涛;卢温翔;曹玲芝设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本带有磁致应变源的GeSn发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电子集成电路技术领域，具体涉及带有磁致应变源的GeSn发光二极管及其制备方法。发光二极管包括由下至上依次设置的衬底层、驰豫层和有源区，有源区包括由下至上依次设置的n＋型层、本征层和p＋型层；驰豫层和有源区的材料均为GeSn；有源区为空心结构、且有源区内设置有应变源，应变源底部延伸至驰豫层，应变源周围及底面用绝缘层隔离其与有源区、驰豫层的接触。应变源还可以延伸至驰豫层底部，应变源外的绝缘层将其与有源区、驰豫层和衬底层隔开。应变源由超磁致伸缩材料组成。有源区顶部设置第一金属电极。驰豫层上设置第二金属电极。本发明通过应变源可以向有源区引入较大的张应变，最终可以提高应变GeSn发光二极管的光发射效率。
本发明授权带有磁致应变源的GeSn发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.带有磁应变源的GeSn发光二极管，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底层（101）、驰豫层（102）和有源区，所述有源区包括由下至上依次设置的n＋型层（103）、本征层（104）和p＋型层（105）； 所述驰豫层（102）和有源区的材料均为GeSn； 所述有源区为空心结构，且有源区内设置有应变源（107），应变源（107）底部延伸至驰豫层（102），应变源（107）周围及底面用绝缘层（106）以隔离其与有源区和驰豫层（102）的接触； 所述应变源（107）的材料为超磁致伸缩材料； 所述有源区顶部设置第一金属电极（108），所述驰豫层（102）上设置第二金属电极（109）。
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