无锡华鑫检测技术有限公司王振中获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华鑫检测技术有限公司申请的专利一种氮化镓-金刚石异质结晶片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111503831.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种氮化镓-金刚石异质结晶片及其制备方法是由王振中设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓-金刚石异质结晶片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种氮化镓‑金刚石异质结晶片及其制备方法，所述结晶片包括金刚石衬底、二硫化钨薄膜层以及氮化镓外延层；所述氮化镓外延层包括AlGaN缓冲层和GaN功能层；所述AlGaN缓冲层在靠近二硫化钨薄膜层一侧是N原子终止的。本发明以二硫化钨WS2薄膜作为晶格匹配成核层，有效解决了氮化镓和金刚石衬底之间的晶格失配问题，降低了AlGaN缓冲层的厚度，从而极大地降低了GaN功能层与金刚石衬底间的热阻。该方法可实现大尺寸氮化镓‑金刚石异质结晶片的量产，为高功率高密度氮化镓射频器件提供了材料基础。
本发明授权一种氮化镓-金刚石异质结晶片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓-金刚石异质结晶片，其特征在于，所述异质结晶片包括金刚石衬底、二硫化钨薄膜层以及氮化镓外延层；所述氮化镓外延层包括AlGaN缓冲层和GaN功能层；在二硫化钨薄膜层表面进行氮化处理，所述AlGaN缓冲层在靠近二硫化钨薄膜层一侧是N原子终止的； 二硫化钨薄膜层S原子与AlGaN缓冲层中的N原子进行原子键合，能同时形成范德华键和金属原子的共价键； 以WO3粉末为钨源，以硫粉末为硫源，以氩气与氢气的混合气体为载气，通过化学气相沉积法合成二硫化钨薄膜层；所述WO3粉末的加热温度为900～1100℃，所述硫粉末的加热温度为190～210℃；所述氩气与氢气气体流量比例为5:1；所述金刚石衬底的温度为600～1000℃；所述二硫化钨薄膜层的厚度为0.66nm； 采用NH3对二硫化钨薄膜层表面进行氮化处理，所述NH3的流量为800～1200sccm，气压为600～800Torr，处理时间5～10min；所述金刚石衬底的温度保持为600～700℃。
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