买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉环晟光伏(江苏)有限公司申请的专利一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111443866.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法是由李科伟;马敏杰;俞超;宋楠;马擎天设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法，包括：依次设置的用于处理硅片的水蒸汽腔、第一烘干腔、酸性气体腔、第一纯水清洗槽、碱洗槽、第二纯水清洗槽和第二烘干腔；所述水蒸汽腔、所述第一烘干腔、所述酸性气体腔、所述第一纯水清洗槽、所述碱洗槽、所述第二纯水清洗槽和所述第二烘干腔内均设置有传送滚轮，所述传送滚轮被设置为放置和传输硅片。本发明的有益效果是通过气相酸雾去除未被掩膜覆盖区域的钝化膜，从而极大降低掩膜材料对耐酸性的要求；HF气体将会溶解到硅片所沾水的部分形成HF，HF对钝化膜进行腐蚀，可以通过控制HF的溶解量来控制腐蚀速度，可以相对精确控制释放的酸的量，减少酸的耗量。

本发明授权一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备及方法在权利要求书中公布了：1.一种单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备，其特征在于，包括：依次设置的用于处理硅片的水蒸汽腔、第一烘干腔、酸性气体腔、第一纯水清洗槽、碱洗槽、第二纯水清洗槽和第二烘干腔； 所述水蒸汽腔、所述第一烘干腔、所述酸性气体腔、所述第一纯水清洗槽、所述碱洗槽、所述第二纯水清洗槽和所述第二烘干腔内均设置有传送滚轮，所述传送滚轮被设置为放置和传输硅片； 单面电镀工艺中印刷掩膜后开槽的设备的开槽方法，步骤为： 上料：将所述硅片依次设置于所述传送滚轮上，启动所述传送滚轮； 水蒸汽喷湿：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述水蒸汽腔，进入所述水蒸汽腔后会在所述硅片表面沉积一层水珠，由于亲水性差异，钝化膜区域沉积比掩膜处沉积的多； 烘干：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述第一烘干腔，所述硅片进入所述第一烘干腔后，所述掩膜上的少量的水会被所述第一烘干腔中的吸水滚轮去除并烘干，所述硅片背面上的水会被烘干，所述钝化膜区域的水保留； 酸雾腐蚀：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述酸性气体腔，所述硅片进入所述酸性气体腔后，所述酸性气体腔中的酸性气体在所述酸性气体腔内风机的带动下自上而下循环，所述酸性气体溶于所述钝化膜区域上残留的水中，形成酸腐蚀钝化膜，所述硅片背面和所述掩膜不被腐蚀； 纯水清洗：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述第一纯水清洗槽，去除所述硅片表面多余的酸液； 碱洗：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述碱洗槽，通过碱液去除所述掩膜，并将硅片表面的掩膜材料冲到所述碱洗槽中的收集盒内； 纯水清洗：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述第二纯水清洗槽，去除所述硅片表面多余的碱液； 烘干下料：所述硅片在所述传送滚轮的带动下进入至所述第二烘干腔，将所述硅片烘干后下料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人环晟光伏(江苏)有限公司，其通讯地址为：214200 江苏省无锡市宜兴市经济开发区文庄路20号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。