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龙图腾网获悉成都亚光电子股份有限公司申请的专利一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023637B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111299584.3，技术领域涉及：H01L21/225；该发明授权一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法是由杨青设计研发完成，并于2021-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法，包括：S1将硼微晶玻璃进行高温预处理，得到预处理后的硼微晶玻璃；S2将预处理后的硼微晶玻璃与待扩散处理的硅片层叠放置，加热进行扩散处理，得到处理后的硅片；所述待扩散处理的硅片的正面与预处理后的硼微晶玻璃相接触；S3除去处理后的硅片表面的硼硅玻璃，得到硼扩散处理的硅片。与现有技术相比，本发明将PWB源与Si片直接接触，能实现高表面浓度的同时形成浅结；其次，本发明还可实现PWB源上下两面分别接触两层若干Si片的需掺杂面，提高扩散效率；再者，本发明提供的方法仅使用一步扩散，无须中途取出Si片处理，过程简单易操作，且避免了不必要的污染。

本发明授权一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法在权利要求书中公布了：1.一种箱法硼微晶玻璃源浓硼扩散的方法，其特征在于，包括： S1将硼微晶玻璃进行高温预处理，得到预处理后的硼微晶玻璃； S2将预处理后的硼微晶玻璃与待扩散处理的硅片层叠放置，加热进行扩散处理，得到处理后的硅片；所述待扩散处理的硅片的正面与预处理后的硼微晶玻璃相接触； S3除去处理后的硅片表面的硼硅玻璃，得到硼扩散处理的硅片； 所述步骤S1中高温预处理的温度为1000℃～1200℃；所述高温预处理的时间为10～60min； 所述步骤S1中高温预处理在通入保护气氛的条件下进行；所述保护气氛的流量为0.5～2Lmin； 所述步骤S2中将预处理后的硼微晶玻璃与带扩散的硅片层叠放置后，在扩散炉口预热，然后在扩散炉中加热进行扩散处理；所述预热的时间为3～10min； 所述步骤S2中扩散处理的温度为1100℃～1150℃；扩散处理的时间为15～30min； 所述步骤S1中硼微晶玻璃先进行清洗处理与烘烤处理后，再进行高温预处理；所述清洗处理先用丙酮擦拭再用水进行清洗；所述烘烤处理的温度为1000℃～1200℃；所述烘烤处理的时间大于等于24h； 所述烘烤处理在通入保护气氛的条件下进行；所述保护气氛的流量为0.5～2Lmin； 所述步骤S3中除去处理后的硅片表面的硼硅玻璃具体为：先将处理后的硅片在氢氟酸中腐蚀，水洗后，进行电解腐蚀； 所述氢氟酸的浓度不低于40％；所述腐蚀的时间为1～3min；所述水洗具体为依次用冷水、热水、冷水进行冲洗； 所述电解腐蚀以饱和硫酸铜溶液为电解液；所述电解腐蚀时的电压为2～5V。

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