长江先进存储产业创新中心有限责任公司刘峻获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利存储器系统及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093909B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111233979.3，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权存储器系统及其制作方法是由刘峻;杨海波;付志成设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器系统及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种存储器系统及其制作方法，所述存储器系统包括：至少一个存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中，所述存储器装置与所述存储器控制器设置在同一管芯上；所述存储器装置包括第一相变存储器，所述第一相变存储器被配置为为所述存储器系统存储数据；所述存储器控制器中包含第二相变存储器，所述第二相变存储器被配置为在所述存储器控制器在与主机或所述存储器装置进行数据传输时，对传输的数据进行缓存。
本发明授权存储器系统及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器系统，其特征在于，包括：至少一个存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中， 所述存储器装置与所述存储器控制器设置在同一管芯上； 所述存储器装置包括第一相变存储器，所述第一相变存储器被配置为为所述存储器系统存储数据； 所述存储器控制器中包含第二相变存储器，所述第二相变存储器被配置为在所述存储器控制器在与主机或所述存储器装置进行数据传输时，对传输的数据进行缓存； 所述第一相变存储器包括彼此电连接的第一相变存储阵列和第一外围电路；所述第二相变存储器包括彼此电连接的第二相变存储阵列和第二外围电路；所述存储器控制器还包括与所述第一相变存储器和第二相变存储器均电连接的电容和第三外围电路； 所述第一外围电路、第二外围电路和第三外围电路并列的设置在同一衬底上； 所述第一外围电路上设置有所述第一相变存储阵列；所述第二外围电路和所述第三外围电路上设置有所述电容，所述电容上设置有所述第二相变存储阵列。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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