长江存储科技有限责任公司何亚东获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111223496.5，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器及其制作方法是由何亚东;刘力挽;王伟哲;稂耘;王新胜设计研发完成，并于2021-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该三维存储器的制作方法包括：提供表面具有堆叠体的衬底，在堆叠体中形成贯穿至衬底的沟道孔，位于相邻沟道孔之间的堆叠体具有第一表面；在沟道孔的内表面和第一表面顺序形成层叠设置的功能层和沟道层，并使位于第一表面的沟道层的厚度大于位于沟道孔的内表面的沟道层的厚度；在沟道孔中形成介电填充层，沟道层和功能层顺序环绕介电填充层，以形成沟道结构。由于相比于位于沟道孔侧壁上的沟道层，位于相邻沟道孔之间的堆叠体上的沟道层具有更大的厚度，从而避免由于沟道层损坏而导致的导电插塞在相邻沟道孔之间的堆叠体上的连接，进而避免了相邻沟道结构间通过导电插塞导通而导致的数据存储单元失效。
本发明授权三维存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供表面具有堆叠体的衬底，在所述堆叠体中形成贯穿至所述衬底的沟道孔，位于相邻所述沟道孔之间的所述堆叠体具有第一表面； 在所述沟道孔的内表面和所述第一表面顺序形成层叠设置的功能层和沟道层，并使位于所述第一表面的所述沟道层的厚度大于位于所述沟道孔的内表面的所述沟道层的厚度，在位于所述第一表面的所述沟道层上覆盖第一牺牲层；刻蚀所述第一牺牲层和部分所述沟道层，以使位于所述第一表面的所述沟道层的厚度大于位于所述沟道孔的内表面的所述沟道层的厚度； 在所述沟道孔中形成介电填充层，所述沟道层和所述功能层顺序环绕所述介电填充层，以形成沟道结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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