科大国盾量子技术股份有限公司刘慧获国家专利权
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龙图腾网获悉科大国盾量子技术股份有限公司申请的专利基于PPKTP晶体的全光纤纠缠源及其器件耦合封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115981069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111207092.7，技术领域涉及：G02F1/365；该发明授权基于PPKTP晶体的全光纤纠缠源及其器件耦合封装方法是由刘慧;许穆岚;栗帅;印娟设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于PPKTP晶体的全光纤纠缠源及其器件耦合封装方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于PPKTP晶体实现的全光纤纠缠源，以及用于该全光纤纠缠源中的参量下转换单元的耦合封装方法。其中，借助光纤器件和光纤传输信道实现纠缠源的光路结构，并将用于实现参量下转换过程的器件以一体封装的方式设置于光路结构中，可以实现更好的系统稳定性，并大大降低调试难度。并且，本发明的纠缠源允许采用较少的光学器件，整体结构简单紧凑，且可以作为光源集成到QKD系统中，从而能够允许实现更高的集成性。此外，本发明的耦合封装方法可以确保在参量下转换单元上实现良好的封装及光耦合效果。
本发明授权基于PPKTP晶体的全光纤纠缠源及其器件耦合封装方法在权利要求书中公布了：1.一种用于全光纤纠缠源的参量下转换单元的耦合封装方法，其依次包括基本参数确定步骤、耦合准直器布置步骤、PPKTP晶体布置步骤及固化步骤； 在所述基本参数确定步骤中，确定第一耦合准直器和第二耦合准直器之间的工作距离，并根据PPKTP晶体的横截面积确定所述第一耦合准直器和第二耦合准直器的准直光束直径，其中，所述工作距离大于所述PPKTP晶体的长度； 在所述耦合准直器布置步骤中，将所述第一耦合准直器和第二耦合准直器放置于安装结构件中，并借助多维调节机构调节所述第一耦合准直器和或第二耦合准直器的方位以使收光效率最优； 在所述PPKTP晶体布置步骤中，将所述PPKTP晶体放置于所述安装结构件中，并调节所述PPKTP晶体的方位以使收光效率最优，其中，所述第一耦合准直器和第二耦合准直器位于所述PPKTP晶体的两侧； 在所述固化步骤中，将所述第一耦合准直器、第二耦合准直器和PPKTP晶体的位置固化。
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