日机装株式会社松仓勇介获国家专利权
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龙图腾网获悉日机装株式会社申请的专利氮化物半导体发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111196489.0，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权氮化物半导体发光元件是由松仓勇介;希利尔·贝诺设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物半导体发光元件在说明书摘要公布了：提供一种氮化物半导体发光元件，其能够提高发光输出，并且能够抑制发光输出的经时性下降。一种输出紫外光的发光元件1，具备：活性层40，其包含产生紫外光的量子阱结构；含位错抑制结构层52，其形成在活性层40上，包含使来自活性层40的位错D停止或弯曲的位错抑制结构520；以及p型接触层54，其形成在含位错抑制结构层52上，具有10nm以上30nm以下的厚度。
本发明授权氮化物半导体发光元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化物半导体发光元件，是输出紫外光的氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备： 活性层，其包含产生上述紫外光的量子阱结构； 含位错抑制结构层，其形成在上述活性层上，包含使来自上述活性层的位错停止或弯曲的位错抑制结构；以及 p型接触层，其形成在上述含位错抑制结构层上，具有10nm以上30nm以下的厚度， 上述位错抑制结构包含含有硅的化合物， 上述活性层发出中心波长为200nm以上365nm以下的紫外光， 上述p型接触层的Al组分比为10％以下， 上述位错抑制结构由在与层叠方向正交的方向上纵横散布的多个位错抑制部构成， 在上述含位错抑制结构层中，关于上述层叠方向上的Si浓度的浓度分布，存在比上述含位错抑制结构层内的其它部分高的浓度峰， 上述Si浓度的浓度峰处的Si浓度为1×1018[atomscm3]以上且1×1020[atomscm3]以下， 在上述含位错抑制结构层中，关于上述层叠方向上的Mg浓度的浓度分布，存在比上述含位错抑制结构层内的其它部分高的浓度峰， 上述Mg浓度的浓度峰的位置与上述Si浓度的浓度峰的位置是上述层叠方向上的相同的位置、或者偏差为±5nm以下的位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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