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龙图腾网恭喜长沙理工大学申请的专利含Al掺杂ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113964274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111080661.6，技术领域涉及：H10K71/12；该发明授权含Al掺杂ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由陈建林;陈术;邱炜;张瑜;陈荐;彭卓寅;龚丽设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本含Al掺杂ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含Al掺杂ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该电池包括由下至上依次设置的透明导电衬底层、电子传输层、金属卤化物钙钛矿吸光层和背电极层，电子传输层从下至上由籽晶层、Al掺杂ZnO纳米棒阵列层和钝化层构成。制备方法包括在透明导电衬底层上制备籽晶层，在籽晶层上用电化学沉积法制备Al掺杂ZnO纳米棒阵列层，电压控制在‑1.45V～‑1.55V，沉积温度保持在80℃±3℃，沉积时间控制在10min～30min，然后制备钝化层、金属卤化物钙钛矿吸光层和背电极层，即得电池，相比于现有技术，该电池的开路电压、短路电流密度、填充因子和光电转换效率均有大幅度提高。

本发明授权含Al掺杂ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含Al掺杂ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、在透明导电衬底层（1）上制备籽晶层（2）； S2、在所述籽晶层（2）上制备Al掺杂ZnO纳米棒阵列层（3），制备过程包括：将锌的可溶性盐加入水中，得到锌盐溶液，将铝的可溶性盐加入水中，得到铝盐溶液，将铝盐溶液加入至锌盐溶液中，控制Al与Zn的原子比为0.75～1.25∶100，经搅拌，得到混合溶液，然后加热升温至80℃±3℃，以惰性电极为正极，以沉积籽晶层（2）的透明导电衬底层（1）为负极，进行电化学沉积，电压控制在-1.45V～-1.55V，沉积温度保持在80℃±3℃，沉积时间控制在10min～30min，沉积后热处理，在籽晶层（2）上得到Al掺杂ZnO纳米棒阵列层（3）； S3、在所述Al掺杂ZnO纳米棒阵列层（3）上制备钝化层（4）； S4、在所述钝化层（4）上制备金属卤化物钙钛矿吸光层（5）； S5、在所述金属卤化物钙钛矿吸光层（5）上制备背电极层（6），得到含Al掺杂ZnO纳米棒阵列的钙钛矿太阳能电池； 步骤S1中，所述籽晶层（2）为SnO2籽晶层，所述SnO2籽晶层的制备方法为：取锡的可溶性盐溶于无水乙醇中，得到锡盐的乙醇溶液，锡盐的乙醇溶液中锡盐的浓度控制在0.15molL～0.25molL，常温搅拌85min～95min，旋涂在所述透明导电衬底层（1）上，所述旋涂的速度为2500rpm～3500rpm，所述旋涂的时间为25s～35s，然后进行热处理，所述热处理的温度为345℃～355℃，所述热处理的时间为55min～95min； 所述钙钛矿太阳能电池包括由下至上依次设置的透明导电衬底层（1）、电子传输层、金属卤化物钙钛矿吸光层（5）和背电极层（6），所述电子传输层从下至上由籽晶层（2）、Al掺杂ZnO纳米棒阵列层（3）和钝化层（4）构成； 所述透明导电衬底层（1）为ITO导电玻璃、FTO导电玻璃、AZO导电玻璃或柔性聚合物衬底，所述籽晶层（2）为SnO2籽晶层，所述钝化层（4）为SnO2钝化层，所述背电极层（6）为碳电极、银电极或金电极，所述金属卤化物钙钛矿吸光层（5）为有机-无机杂化钙钛矿吸光层或全无机钙钛矿吸光层，所述有机-无机杂化钙钛矿吸光层包括FAPbI3钙钛矿吸光层或MAPbI3钙钛矿吸光层，所述全无机钙钛矿吸光层包括CsPbBr3钙钛矿吸光层、CsPbBr2I钙钛矿吸光层、CsPbBrI2钙钛矿吸光层或CsPbI3钙钛矿吸光层。

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