恭喜广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司张骥获国家专利权
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龙图腾网恭喜广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术(广东)有限公司申请的专利存储器件的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113963731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111073927.4，技术领域涉及：G11C7/12；该发明授权存储器件的控制方法是由张骥;叶甜春;罗军;赵杰设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件的控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种存储器件的控制方法。该存储器件的控制方法包括：使所述存储器件工作在部分耗尽绝缘体上硅状态；于所述存储器件的控制栅施加第一控制电压，以使所述浮体区形成势阱；降低所述源区与所述次源区之间的势垒，向所述浮体区注入电子，使得所述浮体区的电势降低，执行写"1"操作；增加所述源区与所述次源区之间的势垒，使得所述浮体区的电势保持不变，执行写"0"操作。本发明提供的存储器件的控制方法，通过于源区与次源区间形成势垒结构，能够在不改变存储器件垂直结构的情况下，在同一存储器件中实现双存储位点，增加存储器件的存储位数。
本发明授权存储器件的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件的控制方法，其特征在于，所述存储器件包括：栅极、源区、漏区、次源区及浮体区；其中 所述栅极包括上下间隔叠置的控制栅和浮栅； 所述源区及所述漏区分别位于所述栅极相对的两侧； 所述次源区位于所述源区内； 所述浮体区位于所述源区与所述漏区之间； 所述控制方法包括如下步骤： 使所述存储器件工作在部分耗尽绝缘体上硅状态； 于所述存储器件的控制栅施加第一控制电压，以使所述浮体区形成势阱； 降低所述源区与所述次源区之间的势垒，向所述浮体区注入电子，使得所述浮体区的电势降低，执行写"1"操作； 增加所述源区与所述次源区之间的势垒，使得所述浮体区的电势保持不变，执行写"0"操作。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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