恭喜隆基绿能科技股份有限公司邓浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种单晶硅拉晶工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115976639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211556571.4，技术领域涉及：C30B27/02；该发明授权一种单晶硅拉晶工艺方法是由邓浩;谢志宴;靳乾设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶硅拉晶工艺方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种掺有挥发性掺杂剂单晶硅拉晶工艺方法，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉采用不超过18Torr的低炉压，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内。本申请实现在较低炉压下进行等径拉晶。通过本申请的工艺方法，可以降低掺有挥发性掺杂剂，尤其是镓的单晶的轴向电阻率衰减斜率，提高其电阻率有效长度。
本发明授权一种单晶硅拉晶工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶硅拉晶工艺方法，其特征在于，所述拉晶工艺方法包括在晶体生长的等径阶段单晶炉炉压不超过18Torr，单晶炉炉内通入氩气流量保持在恒定范围内，所述单晶硅掺有掺杂剂； 在晶体生长的等径阶段随晶棒长度增加逐步降低单晶炉炉压； 逐步降低单晶炉炉压的过程包括： 当晶体生长到预设长度时，获取单晶炉炉压值U； 比较获取的单晶炉炉压值U与预设的炉压值U5，当U＞U5时，降低炉压直至U≤U5； 当单晶硅等径长度小于总晶棒长度10％范围内任一长度时，控制单晶炉炉压为US501，US501不超过500mTorr； 当单晶硅等径长度大于或等于总晶棒长度10％且小于总晶棒长度45％范围内任一长度时，控制单晶炉炉压为US502，US502不超过300mTorr； 当单晶硅等径长度大于或等于总晶棒长度45％范围内任一长度时，控制单晶炉炉压为US503，US503不超过100mTorr； 其中US503US502US501； 所述方法还包括在等径阶段之前的熔料加料阶段、引晶阶段、放肩阶段、转肩阶段对炉内压力进行控制； 在所述熔料加料、引晶、放肩、转肩阶段中，炉压不超过2Torr。
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