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龙图腾网恭喜上海衍梓智能科技有限公司申请的专利一种新型碳化硅衬底的前处理设备及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113555300B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110838076.1，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种新型碳化硅衬底的前处理设备及制造方法是由郑国;秦超;张志伟设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型碳化硅衬底的前处理设备及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种新型碳化硅衬底的前处理设备及制造方法，包括进气管路、反应腔、隔热层、支撑部件、射频加热部件、真空抽气部件、尾气处理管路、加热基板和衬底托盘；进气管路和尾气处理管路分别位于隔热层两个侧边，射频加热部件位于反应腔底部，支撑部件位于加热基板并固定加热基板于隔热层内侧底部，加热基板上设置有凹槽，衬底托盘位于凹槽处，真空抽气部件位于隔热层外侧；衬底托盘包括基材、结构层和防护层；结构层位于基材上并具有标准形貌或图案支撑结构；防护层位于结构层上。其中本发明的有益效果是：降低衬底缺陷，改进衬底外延生长前处理，在不影响衬底处理效果的同时进行大批量、多批次处理，同时减少外延准备时间，缩短工艺流程。

本发明授权一种新型碳化硅衬底的前处理设备及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅衬底的前处理设备的制造方法，包括步骤如下： 加热基板制备：利用切削磨抛机械加工工具，在加热基板表面制备出对应特征； 衬底托盘制备：在制备之前需要提前准好所需的标准形貌或图案支撑结构的三维模型；选取与所述加热基板凹槽部位尺寸相匹配的基材；利用传统的切削磨抛机械加工工艺，在基材表面制备出所述标准形貌或图案支撑结构，形成衬底托盘； 衬底托盘表面处理：对所述衬底托盘表面进行纯化处理； 防护层沉积：在经过纯化后的所述衬底托盘表面沉积防护层； 渗碳处理：对所述防护层进行渗碳处理，形成复合防护层； 产品组装：将所有零部件安装成成品； 所述碳化硅衬底的前处理设备包括进气管路、反应腔、隔热层、支撑部件、射频加热部件、真空抽气部件、尾气处理管路、加热基板和衬底托盘； 所述进气管路和所述尾气处理管路分别位于所述隔热层两个侧边，所述隔热层位于所述反应腔内侧壁，所述射频加热部件位于所述反应腔底部，所述支撑部件位于所述加热基板并固定所述加热基板于所述隔热层内侧底部，所述加热基板上设置有凹槽，所述衬底托盘位于所述凹槽处，所述真空抽气部件位于所述隔热层外侧； 所述衬底托盘包括基材、结构层和防护层； 所述结构层位于所述基材上并具有标准形貌或图案支撑结构，所述标准形貌或图案支撑结构的最内环形成衬底放置凹槽，所述标准形貌或图案支撑结构的最内环以外形成有至少一个凸起部，所述凸起部具有中心旋转对称性；所述防护层位于所述结构层上； 所述加热基板包括托盘放置处和硅源放置孔，所述托盘放置处和所述硅源放置孔旋转对称分布于所述加热基板上。

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