恭喜杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司夏志平获国家专利权
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龙图腾网恭喜杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司申请的专利一种半导体器件的隔离结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113394270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110809017.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件的隔离结构及其制造方法是由夏志平;裴晓平;陈洪雷;孙样慧;田浩洋设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的隔离结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件的隔离结构及其制造方法，该隔离结构包括：衬底，位于衬底中的深槽，位于深槽表面的第一氧化层及位于第一氧化层上的多晶硅，第一氧化层和多晶硅高出衬底，且多晶硅高出第一氧化层，位于高出第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，侧墙至少覆盖深槽顶部的第一氧化层。侧墙可以保护深槽顶部两侧的氧化层不被腐蚀掉，防止深槽顶部两侧的氧化层的损失对器件特性产生的不利影响，节约了工艺成本。由于最终形成的隔离结构保留有侧墙，并没有将侧墙移除，可以避免深槽附近氧化层留膜过薄而对器件性能产生的不利影响，对于该半导体工艺提供了足够的工艺窗口。
本发明授权一种半导体器件的隔离结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的隔离结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底中的深槽； 位于所述深槽表面及所述衬底表面的第一氧化层，多晶硅位于所述深槽表面的所述第一氧化层上；所述第一氧化层和所述多晶硅高出所述衬底，且所述多晶硅高出所述第一氧化层； 位于高出所述第一氧化层的多晶硅的侧壁的侧墙，所述侧墙至少覆盖所述深槽顶部的第一氧化层；以所述侧墙为掩蔽，去除所述侧墙之外的所述第一氧化层。
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