恭喜无锡华润上华科技有限公司任涛获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司申请的专利晶圆正反面图形的偏移量监测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115588621B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110758215.X,技术领域涉及:H01L21/66;该发明授权晶圆正反面图形的偏移量监测方法是由任涛;马如贵;樊航;秦祥;李腾腾设计研发完成,并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆正反面图形的偏移量监测方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种晶圆正反面图形的偏移量监测方法,通过在掩模版中形成包括等间距重复排布的多个CD测试单元的CD测试图形,并将CD测试图形置于晶圆的划片道中,且选定1个CD测试单元使得其中心与晶圆布图中心重合,以作为参比CD测试单元,而后分别在晶圆正反面进行光刻,在晶圆划片道中形成具有多个CD光刻单元的CD光刻图形,通过量测最小CD光刻单元与参比CD光刻单元的中心间距,即可获得分别对应于晶圆正反面图形的偏移量L1及L2,取L1及L2的差值后即可获得晶圆正反面图形的偏移量ΔL,因此,本发明的偏移量监测方法不需要采用特殊的双面监测设备,从而监测成本较低。
本发明授权晶圆正反面图形的偏移量监测方法在权利要求书中公布了:1.一种晶圆正反面图形的偏移量监测方法,其特征在于,包括以下步骤: 提供第一掩模版,所述第一掩模版包括第一CD测试图形,所述第一CD测试图形包括等间距重复排布的多个第一CD测试单元; 调整曝光布局,将所述第一CD测试图形置于晶圆的划片道中,选取1个第一CD测试单元作为第一参比CD测试单元,且所述第一参比CD测试单元的中心与晶圆布图中心重合; 对晶圆正面进行光刻,形成对应于所述第一CD测试图形的第一CD光刻图形,所述第一CD光刻图形包括多个第一CD光刻单元; 量测所述第一CD光刻图形所对应的CD值,选取由过显影形成的具有最小CD值的所述第一CD光刻单元作为第一最小CD光刻单元,量测所述第一最小CD光刻单元与所述第一参比CD测试单元所对应的第一参比CD光刻单元的中心间距,获得晶圆正面图形的偏移量L1; 提供第二掩模版,所述第二掩模版包括第二CD测试图形,所述第二CD测试图形包括等间距重复排布的多个第二CD测试单元; 调整曝光布局,将所述第二CD测试图形置于晶圆的划片道中,选取1个第二CD测试单元作为第二参比CD测试单元,且所述第二参比CD测试单元的中心与晶圆布图中心重合; 翻转晶圆,对晶圆反面进行光刻,形成对应于所述第二CD测试图形的第二CD光刻图形,所述第二CD光刻图形包括多个第二CD光刻单元; 量测所述第二CD光刻图形所对应的CD值,选取由过显影形成的具有最小CD值的所述第二CD光刻单元作为第二最小CD光刻单元,量测所述第二最小CD光刻单元与所述第二参比CD测试单元所对应的第二参比CD光刻单元的中心间距,获得晶圆反面图形的偏移量L2; 取所述偏移量L1与所述偏移量L2的差值,获得晶圆正反面图形的偏移量ΔL。
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