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龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110739674.3，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由顾炎;张森;宋华;邹敏设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，包括：包括衬底、绝缘埋层、半导体层、至少两个间隔排布的沟道区、阳极、阴极接触区及阴极，其中，沟道区上表层设有沟道接触区，相邻两个沟道区之间设有阳极接触区。当半导体器件正向导通时，沟道接触区可以降低导通压降，从而可以降低器件的整体功耗；当半导体器件反向导通时，由半导体层和各个沟道区形成的反向耗尽层可以将导电沟道进行夹断，使整个阳极处于封闭状态，降低漏电；当半导体器件反向恢复时，沟道接触区产生的少子空穴可以与阳极接触区的电子空穴进行复合后消失，降低整个器件在反向恢复时的峰值电流，同时降低反向恢复的时间。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件为高压二极管，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电类型，所述衬底上表面设有绝缘埋层； 半导体层，位于所述绝缘埋层上表面，具有第二导电类型，所述第二导电类型和所述第一导电类型相反； 至少两个间隔排布的沟道区，位于所述半导体层的上表层，具有第一导电类型，所述沟道区的上表层设有第一导电类型重掺杂的沟道接触区，相邻两个所述沟道区之间设有第二导电类型重掺杂的阳极接触区，所述第二导电类型重掺杂的阳极接触区的两侧与相邻两个沟道区接触设置；两个相邻所述沟道区的间距小于等于所述沟道区的两倍结深，两个相邻沟道区的间距大小满足所述高压二极管由正向导通转为反向截止时，所述半导体层和沟道区形成耗尽层将所述阳极接触区形成的导电沟道夹断的需求； 阳极，位于所述衬底的上方，分别与所述沟道接触区、所述阳极接触区电连接； 第二导电类型重掺杂的阴极接触区，位于所述半导体层的上表层且与所述沟道区间隔； 阴极，位于所述半导体层的上方，与所述阴极接触区电连接；所述阳极和阴极分别为所述高压二极管的阳极和阴极；所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

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