恭喜无锡华润上华科技有限公司李春旭获国家专利权
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龙图腾网恭喜无锡华润上华科技有限公司申请的专利有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115598921B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110718696.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法是由李春旭;黄刚;马春霞;刘晨晨;杨斌;黄宇;林峰设计研发完成，并于2021-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法，所述修正方法包括：所述有源区光刻版用于制造采用硅局部氧化隔离工艺的半导体元器件，通过在有源区图形端头的与LOCOS区接触的三条边上添加OPC修正图形，使得使用所述有源区光刻版制造的半导体元器件中硅局部氧化隔离结构的鸟嘴形变在有源区端头位置趋无；其中有源区端头用于设置通孔或接触孔。本发明通过特殊的OPC来改善有源区端头与LOCOS区交界处的形貌，避免有源区被鸟嘴侵蚀，使得有源区端头可以用较小的面积实现与通孔接触孔的良好电接触，最终达到LOCOS工艺在更小线宽产品上有效运用的目的。
本发明授权有源区光刻版的版图修正方法及半导体元器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有源区光刻版的版图修正方法，所述有源区光刻版用于制造采用硅局部氧化隔离工艺的半导体元器件，其特征在于，通过在有源区图形端头的与LOCOS区接触的三条边上添加OPC修正图形，使得使用所述有源区光刻版制造的半导体元器件中硅局部氧化隔离结构的鸟嘴形变在有源区端头位置趋无；其中有源区端头用于设置通孔或接触孔； 所述有源区光刻版的版图修正方法包括步骤： 对不同的有源区形貌进行OPC数据收集； 根据收集的数据建立有源区图形端头的OPC模型； 对有源区图形进行OPC修正，包括根据所述OPC模型，在有源区图形端头的与LOCOS区接触的三条边上添加OPC修正图形。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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