恭喜江苏中科汉韵半导体有限公司袁述获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏中科汉韵半导体有限公司申请的专利碳化硅晶片及其退火激活方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110546675.6，技术领域涉及：H01L21/04；该发明授权碳化硅晶片及其退火激活方法是由袁述;苗青;黎力;陈蕾;曹可设计研发完成，并于2021-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅晶片及其退火激活方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种碳化硅晶片及其退火激活方法，属于本申请涉及半导体器件制备领域。本申请提供的碳化硅晶片的退火激活方法，通过在碳化硅晶片的第一表面进行离子注入；在碳化硅晶片的第一表面进行镀膜，形成镀膜层；将所述碳化硅晶片的镀膜层与第一晶片的一侧表面贴合，得到贴合后的晶片；将所述贴合后的晶片进行退火处理；能够使得在高温退火处理时彼此贴合的晶片互相形成保护，减少高温退火处理对碳化硅晶片的影响，贴合面的镀膜在高温时发生熔融提高碳化硅晶片表面离子浓度。
本发明授权碳化硅晶片及其退火激活方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片的退火激活方法，其特征在于，包括： 在碳化硅晶片的第一表面进行离子注入； 在离子注入后的所述第一表面进行镀膜，形成镀膜层； 将所述碳化硅晶片具有所述镀膜层的一侧表面与第一晶片的一侧表面贴合，得到贴合后的晶片； 将所述贴合后的晶片进行退火处理； 所述第一晶片为碳化硅晶片，所述第一晶片的一侧表面为经过离子注入的一侧表面； 所述将所述碳化硅晶片具有所述镀膜层的一侧表面与第一晶片的一侧表面贴合，还包括： 在所述碳化硅晶片的镀膜层与第一晶片经过离子注入的一侧表面之间插入至少一片第二晶片，所述第二晶片具有离子注入层； 其中，若第二晶片多于一个，插入的第二晶片之间彼此表面贴合； 所述第二晶片的与所述碳化硅晶片的镀膜层相对的表面，与所述碳化硅晶片的镀膜层贴合； 所述第二晶片的与所述第一晶片经过离子注入的一侧表面相对的表面，与所述第一晶片经过离子注入的一侧表面贴合； 所述在离子注入后的所述第一表面进行镀膜，形成镀膜层，包括： 采用第一材料进行镀膜，所述第一材料包含所述碳化硅晶片离子注入的离子成分。
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