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龙图腾网恭喜株式会社日立功率半导体申请的专利半导体装置及电力转换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110541791.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及电力转换装置是由古川智康;川濑大助设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及电力转换装置在说明书摘要公布了：本发明提供半导体装置及电力转换装置，在具有利用护圈包围半导体有源区域的终端构造的半导体装置中，可抑制连接于护圈的金属层的腐蚀，可靠性高。半导体装置的特征在于，具备形成于半导体基板的主面的有源区域和以包围有源区域的方式形成于主面的护圈区域，护圈区域具有：护圈，其形成于半导体基板；层间绝缘膜，其以覆盖护圈的方式形成于半导体基板上；场板，其配置于层间绝缘膜上，经由贯通层间绝缘膜的触头与护圈电连接；以及保护膜，其覆盖场板，场板由与护圈接触的第一金属和接触地配置于第一金属上且标准电位比第一金属低的第二金属的层叠构造构成，第一金属的与保护膜的接触面积相对于第二金属的与保护膜的接触面积的比例为0.05以下。

本发明授权半导体装置及电力转换装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 有源区域，其形成于半导体基板的主面；以及 护圈区域，其以包围上述有源区域的方式形成于上述主面， 上述护圈区域具有： 护圈，其形成于上述半导体基板； 层间绝缘膜，其以覆盖上述护圈的方式形成于上述半导体基板上； 场板，其配置于上述层间绝缘膜上，经由贯通上述层间绝缘膜的触头与上述护圈电连接；以及 保护膜，其覆盖上述场板， 上述场板由第一金属与第二金属的层叠构造构成， 上述第一金属与上述护圈接触， 上述第二金属接触地配置于上述第一金属上，且标准电位比上述第一金属低， 上述第一金属的与上述保护膜的接触面积相对于上述第二金属的与上述保护膜的接触面积的比例为0.05以下，并且上述第一金属的上表面的面积的90％以上被以Al为主成分的合金即上述第二金属覆盖，从而抑制上述第一金属与上述第二金属的标准电位差引起的上述第一金属的腐蚀， 利用从下层起依次层叠有无机系钝化膜与有机系钝化膜的层叠膜覆盖上述第二金属，通过将上述无机系钝化膜减薄化而防止裂纹的产生。

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