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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体器件及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332073B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110507382.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及半导体器件的制备方法是由程凯设计研发完成，并于2021-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种半导体器件及半导体器件的制备方法，半导体器件包括衬底、依次在衬底上形成的GaN和势垒层、通过刻蚀所述GaN层和所述势垒层形成的第一凹槽、形成在第一凹槽以及与所述第一凹槽相接的所述势垒层的上表面的n型重掺杂GaN材料，本发明通过n型重掺杂GaN材料填充第一凹槽并延伸至势垒层的上表面，改善了n型重掺杂GaN材料与GaN异质结侧壁的欧姆接触，降低了n型重掺杂GaN材料与GaN异质结侧壁的接触电阻。二次外延n型重掺杂GaN材料在第一凹槽内生长之后继续在势垒层上侧向外延生长，有利于改善n型重掺杂GaN材料表面粗糙的问题，进一步降低n型重掺杂GaN材料和金属的接触电阻。

本发明授权半导体器件及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 依次在衬底上形成GaN层和势垒层； 在所述势垒层的上表面生长SiO2层； 利用在源漏欧姆接触区域第一次刻蚀所述SiO2层至所述势垒层的上表面，形成第一窗口区； 在所述第一窗口区刻蚀所述GaN层和所述势垒层，刻蚀至所述GaN层和所述势垒层异质结界面以下形成第一凹槽，而后使用高温退火炉进行退火处理； 在第一次刻蚀所述SiO2层的基础上继续第二次刻蚀所述SiO2层，以在所述第一窗口区的基础上得到水平投影面积扩大的第二窗口区； 在所述第二窗口区二次外延n型重掺杂GaN材料； 在栅极区域选择性刻蚀所述SiO2层至所述势垒层的上表面，以形成栅极生长区域并保留部分所述SiO2层，其中，所述第二窗口区的内边缘比所述第一窗口区的内边缘更靠近所述栅极生长区域；以及 在所述栅极生长区域设置与所述势垒层肖特基接触的栅电极以及在所述n型重掺杂GaN材料上分别设置源电极和漏电极，使得被保留的部分所述SiO2层作为所述栅电极生长时的掩膜版，并作为所述栅电极和所述n型重掺杂GaN材料的绝缘介质。

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