恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司雷嘉成获国家专利权
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龙图腾网恭喜新加坡商格罗方德半导体私人有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管的结构及相关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110500018.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管的结构及相关方法是由雷嘉成;L·S·素赛;J·J·杰里设计研发完成，并于2021-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管的结构及相关方法在说明书摘要公布了：高电子迁移率晶体管的结构和形成高电子迁移率晶体管的结构的方法。高电子迁移率晶体管具有第一半导体层、沿界面邻接第一半导体层的第二半导体层、栅极电极和源漏区域。绝缘区域设置在第一半导体层和第二半导体层中。绝缘区域在横向位于栅极电极和源漏区域之间的位置处延伸穿过界面。
本发明授权高电子迁移率晶体管的结构及相关方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 高电子迁移率晶体管，其包括第一半导体层、沿界面邻接该第一半导体层的第二半导体层和源漏区域； 第一沟槽和第二沟槽，其位于该第一半导体层和该第二半导体层中，其中，该第二沟槽邻近该第一沟槽； 栅极窗口，其位于该第一半导体层中，其中，该栅极窗口连接该第一沟槽和该第二沟槽； 栅极电极，其位于该第一沟槽、该第二沟槽和该栅极窗口中；以及 第一绝缘区域和第二绝缘区域，其位于该第一半导体层和该第二半导体层中， 其中，该第一绝缘区域在横向位于该栅极电极和该源漏区域之间的第一位置处延伸穿过该界面，且该第二绝缘区域在横向位于该栅极电极和该源漏区域之间的第二位置处延伸穿过该界面， 其中，该第一绝缘区域位于该第一沟槽和该源漏区域之间，且该第二绝缘区域位于该第二沟槽和该源漏区域之间， 其中，该第一半导体层和该第二半导体层包括横向位于该第一绝缘区域和该第二绝缘区域之间的各自部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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