恭喜北京锐达芯集成电路设计有限责任公司张葳获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京锐达芯集成电路设计有限责任公司申请的专利半导体结构、自退火芯片及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113192907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110451988.3，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权半导体结构、自退火芯片及半导体结构的制作方法是由张葳;张薇;邢康伟;朱恒宇设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、自退火芯片及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构、自退火芯片及半导体结构的制作方法，该半导体结构包括：在激励信号输入端与参考地之间串联连接的N型MOSFET和发热元件，其中，N型MOSFET的栅极接收偏置电压，N型MOSFET在受到外部辐射时阈值电压减小并在减小至小于或等于偏置电压的情况下导通从而控制发热元件进行发热，在加热过程中自退火恢复并在恢复至大于偏置电压的情况下关断从而控制发热元件停止发热；发热元件位于N型MOSFET上部层面的介质层中，并且经由布线层与N型MOSFET的源极连接。该半导体结构中发热元件的可设置区域不受限制，布置灵活，同时该半导体结构能够根据N型MOSFET的阈值电压的漂移情况自动的启动关闭热退火处理功能，有效保证了热退火处理的实时性和准确性。
本发明授权半导体结构、自退火芯片及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：在激励信号输入端与参考地之间串联连接的N型MOSFET和发热元件， 其中，所述N型MOSFET的栅极用于接收偏置电压，所述N型MOSFET在受到外部辐射时阈值电压减小并在减小至小于或等于所述偏置电压的情况下导通从而控制发热元件进行发热，在加热过程中自退火恢复并在恢复至所述阈值电压大于所述偏置电压的情况下关断从而控制发热元件停止发热； 所述发热元件位于所述N型MOSFET上部层面的介质层中，并且经由布线层与所述N型MOSFET的源极连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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