恭喜北京锐达芯集成电路设计有限责任公司张葳获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京锐达芯集成电路设计有限责任公司申请的专利自退火芯片及自退火系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113192908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110451990.0，技术领域涉及：H01L23/34；该发明授权自退火芯片及自退火系统是由张葳;邢康伟;张薇;朱恒宇设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本自退火芯片及自退火系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自退火芯片及自退火系统，该自退火芯片包括控制模块和加热模块，控制模块包括PMOS总剂量辐射探头，其中，PMOS总剂量辐射探头在受到外部辐射时阈值电压减小；控制模块用于接收参考电压，并在阈值电压减小至小于或等于参考电压的情况下输出第一控制信号从而控制加热模块进行发热；在加热过程中阈值电压经退火后恢复；控制模块还用于在阈值电压恢复至大于参考电压的情况下输出第二控制信号从而控制加热模块停止发热。该自退火芯片具有很好的抗总剂量辐射能力，且能够根据PMOS总剂量辐射探头的阈值电压的漂移情况自动的启动关闭热退火处理功能，有效的保证了对自退火芯片以及待保护芯片热退火处理的实时性和准确性。
本发明授权自退火芯片及自退火系统在权利要求书中公布了：1.一种自退火芯片，包括：控制模块和加热模块，所述控制模块包括PMOS总剂量辐射探头， 其中，所述PMOS总剂量辐射探头在受到外部辐射时阈值电压减小；所述控制模块用于接收参考电压，并在所述阈值电压减小至不超过所述参考电压的情况下输出第一控制信号从而控制所述加热模块进行发热；在加热过程中所述阈值电压恢复；所述控制模块还用于在所述阈值电压恢复至大于所述参考电压的情况下输出第二控制信号从而控制所述加热模块停止发热； 所述加热模块包括P型MOSFET和发热元件，所述P型MOSFET的源极用于接收激励信号，栅极用于接收所述控制信号，漏极与所述发热元件的一端连接；所述发热元件的另一端用于与参考地连接； 在激励信号大于控制信号时，所述P型MOSFET导通并产生导通电流，所述发热元件在接收到所述导通电流时发热。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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