恭喜台湾积体电路制造股份有限公司程仲良获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于检测薄膜的污染的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113203714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110451807.7，技术领域涉及：G01N21/63；该发明授权用于检测薄膜的污染的系统和方法是由程仲良设计研发完成，并于2021-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于检测薄膜的污染的系统和方法在说明书摘要公布了：薄膜沉积系统在晶圆上沉积薄膜。辐射源利用激发光照射晶圆。发射物传感器检测响应于激发光的来自晶圆的发射光谱。基于机器学习的分析模型分析光谱，并且基于光谱检测薄膜的污染。本发明的实施例还涉及用于检测薄膜的污染的系统和方法。
本发明授权用于检测薄膜的污染的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于检测薄膜的污染的方法，包括： 在薄膜沉积室中在晶圆上沉积薄膜，其中，所述薄膜包括氮化钛，在沉积所述薄膜之后，设置在管中的发射物传感器位于所述薄膜沉积室中，所述管从所述薄膜沉积室的外部延伸至所述薄膜沉积室的内部； 利用设置在所述管中的激发激光器输出激发光，所述激发光从所述管进入所述薄膜沉积室的内部容积以照射所述薄膜； 利用设置在所述管中的所述发射物传感器，检测响应于所述激发光的来自所述薄膜的氧化钛的发射光谱；以及 通过利用控制系统的分析模型分析氧化钛的所述发射光谱来检测所述薄膜沉积室中的泄漏。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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