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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113594046B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110284525.2，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体结构及其形成方法是由叶书伸;杨哲嘉;汪金华;林柏尧;郑心圃;林嘉祥设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：方法包括形成第一介电层；形成包括延伸至第一介电层中的第一通孔的第一再分布线，以及位于第一介电层上方的第一迹线；形成覆盖第一再分布线的第二介电层；以及图案化第二介电层以形成通孔开口。第一再分布线通过通孔开口露出。方法还包括在第二介电层中形成第二通孔，并且在第二通孔上方形成接触第二通孔的导电焊盘；以及在导电焊盘上方形成导电凸块。导电焊盘大于导电凸块，并且导电焊盘的第一中心从导电凸块的第二中心偏离。第二通孔从导电凸块的第二中心偏离更远。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，包括： 形成第一介电层； 形成第一再分布线，所述第一再分布线包括延伸至所述第一介电层中的第一通孔和位于所述第一介电层上方的第一迹线； 形成覆盖所述第一再分布线的第二介电层； 图案化所述第二介电层以形成通孔开口，其中，所述第一再分布线通过所述通孔开口露出； 在所述第二介电层中形成第二通孔，并且在所述第二通孔上方形成接触所述第二通孔的导电焊盘；以及 在所述导电焊盘上方形成导电凸块，其中，所述导电焊盘大于所述导电凸块，并且所述导电焊盘的第一中心从所述导电凸块的第二中心偏离，并且其中，所述第二通孔从所述导电凸块的第二中心偏离更远， 其中，所述导电焊盘包括具有凸形形状的第一部分和第二部分，并且其中，在所述导电焊盘的顶视图中，连接凸形形状内任意两点的任何直线都完全位于所述凸形形状内，所述第一部分和所述第二部分位于所述导电焊盘的所述第一中心的相对侧上，并且其中，所述第一部分比所述第二部分窄，所述第二通孔和所述导电凸块的所述第二中心位于所述导电焊盘的所述第一中心的相对侧上，所述第二通孔处于所述第一部分的一侧，并且所述导电凸块的所述第二中心处于所述第二部分的一侧，其中，所述导电焊盘具有平整的顶面、平整的底面以及在所述顶面与所述底面之间的四个侧壁，在所述导电焊盘的顶视图中，所述四个侧壁中的两个是弧形侧壁，并且另外的两个侧壁是笔直侧壁，并且其中，所述弧形侧壁和所述笔直侧壁交替布置。

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