恭喜台湾积体电路制造股份有限公司杨芷欣获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件和形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113178418B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110231275.6，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法是由杨芷欣;陈燕铭;杨丰诚;李宗霖;李威养;陈殿豪设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：半导体器件包括衬底。栅极结构在垂直方向上设置在衬底上方。栅极结构在第一水平方向上延伸。空气间隔件在与第一水平方向不同的第二水平方向上设置为与栅极结构的第一部分相邻。空气间隔件在由垂直方向和第一水平方向限定的截面侧视图中具有垂直边界。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
本发明授权半导体器件和形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 栅极结构，在垂直方向上设置在所述衬底上方，其中，所述栅极结构在第一水平方向上延伸；以及 空气间隔件，在与所述第一水平方向不同的第二水平方向上设置为与所述栅极结构的第一部分相邻，其中，所述空气间隔件在由所述垂直方向和所述第一水平方向限定的截面侧视图中具有垂直边界， 其中，所述栅极结构包括不设置为与空气间隔件相邻的第二部分，所述栅极结构的所述第一部分是第一晶体管的一部分，所述栅极结构的所述第二部分是第二晶体管的一部分，所述第一晶体管具有比所述第二晶体管更大的速度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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