恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司唐睿智获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792732B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110106516.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构的形成方法是由唐睿智;渠汇;尹鹏;杨鹏;付金玉;吉利设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，第一区上具有第一鳍部，第二区上具有第二鳍部；在衬底上形成初始隔离层；在初始隔离层上、第一鳍部上和第二鳍部上形成阻挡层；形成位于第一鳍部内的第一阱区以及位于第二鳍部内的第二阱区；在第二区上的阻挡层内形成缓冲层；刻蚀阻挡层、缓冲层以及部分初始隔离层以形成隔离层，位于第一区上的隔离层的顶部表面与位于第二区上的隔离层的顶部表面齐平。通过缓冲层能够调节刻蚀速率，使得最终位于第一区上的隔离层的顶部表面与位于第二区上的隔离层的顶部表面齐平，进而降低第一阱区和第二阱区上形成的晶体管结构电学性能的差异，提升最终形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区和第二区，所述第一区上具有第一鳍部，所述第二区上具有第二鳍部； 在所述衬底上形成初始隔离层，所述初始隔离层覆盖所述第一鳍部和所述第二鳍部； 在所述初始隔离层上、第一鳍部上和第二鳍部上形成阻挡层； 在形成所述阻挡层之后，形成位于所述第一鳍部内的第一阱区以及位于所述第二鳍部内的第二阱区； 在形成所述第一阱区和所述第二阱区之后，在所述第二区上的阻挡层内形成缓冲层； 刻蚀所述阻挡层、缓冲层以及部分初始隔离层以形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于所述第一鳍部和所述第二鳍部的顶部表面，且位于所述第一区上的所述隔离层的顶部表面与位于所述第二区上的所述隔离层的顶部表面齐平；其中，在刻蚀所述阻挡层和所述缓冲层时，所述缓冲层的刻蚀速率小于或大于所述阻挡层的刻蚀速率。
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