恭喜高通股份有限公司A·斯里瓦斯塔瓦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利低功耗存储器内计算位单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180011468.9，技术领域涉及：G11C11/419；该发明授权低功耗存储器内计算位单元是由A·斯里瓦斯塔瓦;S·A·米雷杰;G·缪;S·巴扎尔贾尼设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本低功耗存储器内计算位单元在说明书摘要公布了：提供了一种存储器内计算位单元，包括用于存储经存储位的一对交叉耦合的反相器。存储器内计算位单元包括用于将经存储位与输入矢量位相乘的逻辑栅极。逻辑栅极包括FET晶体管。FET晶体管的源极端子连接到交叉耦合反相器的输出节点，FET晶体管的栅极端子连接到输入矢量位，并且FET晶体管的漏极端子连接到电容器的第一板。电容器的第二板连接到读取位线。
本发明授权低功耗存储器内计算位单元在权利要求书中公布了：1.一种存储器内计算存储单元，包括： 一对交叉耦合的反相器，具有用于存储位的第一输出节点； 读取位线； 字线，具有响应于输入位的电压； 电容器，具有连接到所述读取位线的第一板；以及 第一传输晶体管，连接在所述第一输出节点与所述电容器的第二板之间并且具有连接到所述字线的栅极， 其中所述一对交叉耦合的反相器包括用于所述存储位的补码的第二输出节点；所述存储器内计算存储单元还包括： 补码字线，具有响应于所述输入位的补码的电压； 第二传输晶体管，连接在所述第二输出节点与所述电容器的所述第二板之间并且具有连接到所述补码字线的栅极； 读取字线； 第三晶体管，连接在所述电容器的所述第二板与地之间并且具有连接到所述读取字线的栅极； 第四晶体管，连接在用于电源电压的电源节点与所述读取位线之间；以及 用于复位信号的复位线，其中所述第四晶体管的栅极连接到所述复位线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人高通股份有限公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号