恭喜宁波大学王荣平获国家专利权
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龙图腾网恭喜宁波大学申请的专利沟道型平面波导放大器制备方法及沟道型平面波导放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114815442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110067627.9，技术领域涉及：G02F1/39；该发明授权沟道型平面波导放大器制备方法及沟道型平面波导放大器是由王荣平;杨振;严昆仑设计研发完成，并于2021-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟道型平面波导放大器制备方法及沟道型平面波导放大器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种沟道型平面波导放大器制备方法及沟道型平面波导放大器，该沟道型平面波导制备方法通过利用预设好沟道结构的光刻掩膜版对光学基片上旋涂的光刻胶进行曝光和显影，得到显影有沟道结构的光学基片，再利用刻蚀气体产生的等离子体在光学基片上按照显影后的沟道结构刻蚀多个沟道，最终，将选用的掺杂稀土的硫系材料利用熔融‑淬火法凝聚在刻蚀有沟道的光学基片上，形成位于光学基片表面上的硫系薄膜；并且，将选用的所述掺杂稀土的硫系材料利用熔融‑淬火法凝聚在光学基片的沟道内，避免了对掺杂的稀土材料的刻蚀，而且确保了掺杂的稀土材料在凝聚过程中不会丧失活性，从而得到所要制备的高质量的平面波导放大器。
本发明授权沟道型平面波导放大器制备方法及沟道型平面波导放大器在权利要求书中公布了：1.沟道型平面波导放大器制备方法，其特征在于，包括如下步骤S1~步骤S3： 步骤S1，利用刻蚀气体产生的等离子体按照光学基片上已显影的沟道结构刻蚀多个沟道； 步骤S2，将选用的掺杂稀土的硫系材料利用熔融-淬火法凝聚在刻蚀有沟道的所述光学基片上，形成位于光学基片表面上的硫系薄膜； 步骤S3，将选用的所述掺杂稀土的硫系材料利用熔融-淬火法凝聚在所述光学基片的沟道内，得到所要制备的平面波导放大器； 以及，在步骤S3之后还包括：将位于沟道外侧且突出于光学基片表面的凝聚后的硫系薄膜做抛膜处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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