恭喜华邦电子股份有限公司邱永汉获国家专利权
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龙图腾网恭喜华邦电子股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114765199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110047059.6，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权半导体装置及其形成方法是由邱永汉;李书铭;许博砚设计研发完成，并于2021-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括位于衬底上方的第一导电线及第一导电线上方的存储器结构。存储器结构通过导电通孔电性耦合至第一导电线。间隔件层位于存储器结构侧边且覆盖存储器结构的侧壁。第一介电层位于间隔件层上且位于存储器结构侧边。第二介电层位于存储器结构、间隔件层及第一介电层上。第二导电线穿过第二介电层、第一介电层及间隔件层，以与存储器结构电性耦合。第二导电线包括至少部分地嵌置于第二介电层中的主体部以及位于主体部下方且侧向凸出于主体部侧壁的延伸部。延伸部电性连接至存储器结构的上电极，且被间隔件层环绕包覆。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一导电线，设置于衬底上方； 存储器结构，位于所述第一导电线上方，且通过导电通孔电性耦合至所述第一导电线； 间隔件层，位于所述存储器结构侧边且覆盖所述存储器结构的侧壁； 第一介电层，位于所述间隔件层上且位于所述存储器结构侧边； 第二介电层，位于所述存储器结构、所述间隔件层以及所述第一介电层上方；以及 第二导电线，穿过所述第二介电层、所述第一介电层以及所述间隔件层，以与所述存储器结构电性耦合，所述第二导电线包括： 主体部，至少部分地嵌置于所述第二介电层中；以及 延伸部，位于所述主体部下方且电性连接至所述存储器结构的上电极，其中所述延伸部侧向凸出于所述主体部的侧壁，且被所述间隔件层环绕包覆， 其中所述间隔件层还包括上覆于所述存储器结构之上的上覆部，且所述上覆部与所述存储器结构的所述上电极被位于其间的所述延伸部的一部分间隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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